三星、「フラッシュメモリー」で第２の跳躍宣言

三星、「フラッシュメモリー」で第２の跳躍宣言. October. 10, 2003 23:07. by 金泰韓　李炳奇 freewill@donga.com eye@donga.com. 三星（サムスン）電子がフラッシュメモリーを未来成長エンジンとして位置づけている。 三星は次世代目玉製品としてフラッシュメモリーを集中育成し、来年にはフラッシュメモリー全体市場で世界１位となり、メモリ半導体の売上高１００億ドルを達成する計画だ。 三星の李健熙（イ・ゴンヒ）会長は９日から二日間、ソウル新羅（シルラ）ホテルで「半導体特別戦略会議」を開催してこのように決定した。今回の会議には李鶴洙（イ・ハクス）構造調整本部長、黄昌圭（ファン・チャンギュ）三星電子メモリー事業部担当社長をはじめ、実務役員や半導体担当研究員たちまで顔を出した。 三星は戦略会議の結果、景気に敏感であり、競争が激しくなっているため、最近収益性が落ちこんでいるＤラム事業部分を先端高付加価値製品に絞り込み、その代わり、爆発的な成長が見込まれるフラッシュメモリーを集中育成することに決めた。 パソコン用メモリーに使われるＤラムは景気に敏感であるのに対して、携帯電話、デジタルカメラ、ＭＰ３プレーヤーなどのメモリーカードに主に使われるフラッシュメモリーは、市場規模が年平均２０％ずつ成長し、０７年には１６０億ドルにのぼるものと予想されている。 李会長は今回の会議で「２０年前、半導体に手がけはじめたとき、多くの人々が『無謀なことだ』と反対したが、三星は我々が歩むべき道はこの『半導体』しかないと結論付けて、投資決定を決めた。フラッシュメモリーで世界１を達成して、第２の半導体跳躍を成し遂げよう」と強調した。 黄社長は同日の会議で「全世界のメモリー製造メーカーが苦戦を強いられているのを尻目に、三星電子は今年も昨年より、売上高も利益も２０％以上成長するだろう。来年３４０億ドルの全世界メモリー市場で３０％以上を占める計画だ」という見解を明らかにした。 今回の会議では△メモリー半導体市場の現況および展望△次世代先端製品の開発現況△直径１２インチウェーパー技術開発および量産化推進現況△フラッシュメモリーのトップ戦略などが話し合われた。