Ｆラム（次世代半導体）新素子開発に成功

Ｆラム（次世代半導体）新素子開発に成功. August. 14, 2001 09:35. by 李永完 puset@donga.com. 次世代半導体メモリー素子のＦラム の欠陥を解決した新しいメモリー素子が国内の研究チームによって初めて開発された。浦項（ポハン）工科大学新素材工学課の張硯名（チャン・ヒョンミョン）教授が率いる研究チームは、「鉛-亜鉛-チタニウム（ＰＺＴ）薄膜を利用して、６５０億回以上も読み書きを繰り返しても、情報が損失されないＦラム メモリー素子を開発した」と今月１３日発表した。今回の研究結果は応用物理分野における世界的な専門誌「アプライド・フィジックス・レター」誌に１３日、掲載された。ＦラムはＤラムとは異なり、別途の内部電源供給装置を必要としないことから、電子製品の小型化を早める次世代メモリー素子として期待されている。ところが、三星（サムスン）電子と東芝、日立など世界的な半導体メーカーも読み書きを数百万回繰り返すと、保存された情報が急速に消える、いわゆる「電気的疲労」という短所を解決できなくて、悩まされてきた。張教授の研究チームは、シリコン半導体にＦラムの性質を持つＰＺＴ薄膜を貼り付ける時、４０ｎｍ（ナノメートル・1ｎｍは10億分の1m）厚さの超微細ＰＺＴ薄膜を追加的に付ける方法でこの問題を解決したと説明した。また、この過程でイリジウムという希少元素を電極に使用した従来のＦラムとは違い、Ｄラムの白金電極をそのまま利用して、従来のＤラム製造工程を活用できるようにしたそうだ。張教授は「従来型のＤラム・コンピュータでは初期画面の立ち上げに１〜２分がかかるが、Ｆラムを利用すれば、電源を入れるとすぐ初期画面が現れる」とし、「来年に三星電子社のＤラム工程を活用して、Ｆラムの生産に取り掛かる計画だ」と明らかにした。